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igbt 7 文章 進(jìn)入igbt 7技術(shù)社區
英飛凌ICE3PCS01G搭配IGBT高效率2.5KW空調電源方案
- 這是一個(gè)用于測試 2.5 kW 功率因數校正 (PFC) 電路的平臺。它旨在評估使用 4 腳封裝的優(yōu)勢。 例如提高效率和信號質(zhì)量，并展示了包括 PFC 控制器、MOSFET 驅動(dòng)器和碳化硅二極管在內的完整 Infineon 解決方案。 文件中提供了關(guān)于如何使用該評估板、CoolMOS? C7 MOSFET 的性能表現以及四腳封裝的優(yōu)勢的信息，目標讀者是經(jīng)驗豐富的電源電子工程師和技術(shù)人員。 ? 評估板的目的與組成 ? 此評估板旨在評估TO-247 4針 CoolMOS
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 ICE3PCS01G IGBT 空調電源
能效升級新引擎！拆解IGBT的三大技術(shù)優(yōu)勢
- 在消費電子市場(chǎng)高速發(fā)展的當下，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）已成為現代家電設備中不可或缺的核心器件。憑借其優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性、低導通損耗及出色的熱管理能力，IGBT技術(shù)正持續推動(dòng)家電產(chǎn)品能效升級。安世半導體推出的650 V G3 IGBT平臺產(chǎn)品，通過(guò)性能優(yōu)化與可靠性提升，為家電設備的高效化、節能化發(fā)展提供了關(guān)鍵解決方案。本文將聚焦家電設備的三大核心應用場(chǎng)景——電機拖動(dòng)、PFC（功率因數校正）電路及感應加熱，深入解析安世半導體650 V G3 IGBT平臺的技術(shù)優(yōu)勢及其在家電領(lǐng)域的實(shí)際應用價(jià)值。1. 電機拖動(dòng)1
- 關(guān)鍵字： 安世半導體 IGBT
R課堂 | IGBT IPM的錯誤輸出功能（FO）
- 關(guān)鍵要點(diǎn)?FO引腳為錯誤輸出功能引腳，用于向外部通知內置保護功能的啟動(dòng)情況，并會(huì )為自我保護而關(guān)斷下橋臂各相的IGBT。?FO輸出功能的信號輸出時(shí)間因已啟動(dòng)的保護功能類(lèi)型而異，因此可以判別已啟動(dòng)了哪種保護功能。這是本機型產(chǎn)品所具備的功能。?FO引腳的輸入功能，通過(guò)在FO引腳上連接RC并調整時(shí)間常數，可以擴展下橋臂各相IGBT的關(guān)斷時(shí)間。?當FO輸出經(jīng)由隔離器件輸入至MCU時(shí)，在輸出時(shí)間隔離器件的傳輸延遲時(shí)間比FO輸出的L電平最短時(shí)間要長(cháng)時(shí)，需要根據延遲情況來(lái)擴展FO輸出時(shí)間時(shí)，可使用該功能。本文將介紹“保護
- 關(guān)鍵字： 羅姆半導體 IGBT
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）
- IGBT是一種功率開(kāi)關(guān)晶體管，結合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，用于電源和電機控制電路。絕緣柵雙極型晶體管（簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT）是傳統雙極結型晶體管（BJT）和場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）的交叉產(chǎn)物，使其成為理想的半導體開(kāi)關(guān)器件。IGBT晶體管結合了這兩種常見(jiàn)晶體管的最佳部分，即MOSFET的高輸入阻抗和高開(kāi)關(guān)速度以及雙極晶體管的低飽和電壓，并將它們結合在一起，產(chǎn)生另一種類(lèi)型的晶體管開(kāi)關(guān)器件，能夠處理大的集電極-發(fā)射極電流，而幾乎不需要門(mén)極電流驅動(dòng)。典型絕緣柵雙極型晶體管?典型IGBT絕緣柵雙極型晶體
- 關(guān)鍵字： 絕緣柵雙極型晶體管，IGBT
英飛凌IGBT7系列芯片大解析
- 上回書(shū)(英飛凌芯片簡(jiǎn)史 http://dyxdggzs.com/article/202502/467026.htm)說(shuō)到，IGBT自面世以來(lái)，歷經(jīng)數代技術(shù)更迭，標志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結構的IGBT2，溝槽柵+場(chǎng)截止結構的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線(xiàn)的IGBT5等?，F今，英飛凌IGBT芯片的“當家掌門(mén)”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micro pattern trench）技術(shù)，溝道密度更高，元胞間距也經(jīng)過(guò)精心設計，并且優(yōu)化了寄生電容參數，從而實(shí)現極低的導通壓降和優(yōu)
- 關(guān)鍵字： IGBT 電力電子
英飛凌芯片簡(jiǎn)史
- 話(huà)說(shuō)公元2018年，IGBT江湖驚現第六代和第七代的掌門(mén)人，一時(shí)風(fēng)頭無(wú)兩，各路吃瓜群眾紛紛猜測二位英雄的出身來(lái)歷。不禁有好事者梳理了一下英家這些年，獨領(lǐng)風(fēng)騷的數代當家掌門(mén)人，分別是：呃，好像分不清這都誰(shuí)是誰(shuí)?呃，雖然這些IGBT“掌門(mén)人”表面看起來(lái)都一樣，但都是悶騷型的。只能脫了衣服，做個(gè)“芯”臟手術(shù)。。。像這樣，在芯片上，橫著(zhù)切一刀看看。好像，有點(diǎn)不一樣了。。。故事，就從這兒說(shuō)起吧。。。史前時(shí)代-PTPT是最初代的IGBT，它使用重摻雜的P+襯底作為起始層，在此之上依次生長(cháng)N+ buffer，N- ba
- 關(guān)鍵字： IGBT 芯片
電子技術(shù)如何助力高鐵節能？
- 鐵路與其他客運工具相比，能源效率高，據說(shuō)其每單位運輸量的CO?排放量約為一般載客車(chē)輛的1/7。特別是在長(cháng)距離運輸中，其差距更大，高速鐵路網(wǎng)對運輸基礎設施的節能有很大的推動(dòng)作用。一直以來(lái)，高速鐵路網(wǎng)在發(fā)達國家運輸基礎設施中承擔著(zhù)重要的作用，而近年來(lái)在新興發(fā)展中國家也出現了鋪設高鐵的動(dòng)向。日本已經(jīng)實(shí)現高速鐵路網(wǎng)的實(shí)用化，擁有該項技術(shù)的國家則集聚官民各方力量，加強對正在探討鋪設的國家的推銷(xiāo)攻勢。在高鐵市場(chǎng)競爭過(guò)程中，除了高速性、安靜性、安全性之外，能否通過(guò)削減CO?實(shí)現碳中和等環(huán)境性能也成為需要納入視野的關(guān)鍵點(diǎn)
- 關(guān)鍵字： 碳中和 逆變器 IGBT
被神秘的FS7“附體”，解讀兩大最新功率模塊系列的“超能力”
- 安森美（onsemi）在2024年先后推出兩款超強功率半導體模塊新貴，IGBT模塊系列——SPM31 IPM，QDual 3。值得注意的是，背后都提到采用了最新的FS7技術(shù)，主要性能拉滿(mǎn)，形成業(yè)內獨特的領(lǐng)先優(yōu)勢。解密FS7“附體”的超能力眾所周知，IGBT是一種廣泛應用于電力電子領(lǐng)域的半導體器件，結合了金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）和雙極結型晶體管（BJT）的優(yōu)點(diǎn)，具有高輸入阻抗和低導通電壓降的特點(diǎn)。而安森美的Field Stop技術(shù)則是IGBT的一種改進(jìn)技術(shù)，通過(guò)在器件的漂移區引入一個(gè)場(chǎng)截
- 關(guān)鍵字： 功率半導體 onsemi IGBT
意法半導體先進(jìn)的電隔離柵極驅動(dòng)器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能
- 意法半導體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開(kāi)關(guān)柵極驅動(dòng)器集成了意法半導體最新的穩健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。STGAP3S 在柵極驅動(dòng)通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過(guò)采用這種的先進(jìn)的電隔離技術(shù)，STGAP3S提高了空調、工廠(chǎng)自動(dòng)化、家電等工業(yè)電機驅動(dòng)裝置的可靠性。新驅動(dòng)器還適合電源和能源應用，包括充電站、儲能系統、功率因數校正 (PFC)、
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 電隔離柵極驅動(dòng)器 IGBT SiC MOSFET
Microchip推出廣泛的IGBT 7 功率器件組合，專(zhuān)為可持續發(fā)展、電動(dòng)出行和數據中心應用而優(yōu)化設計
- 為滿(mǎn)足電力電子系統對更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增長(cháng)的需求，功率元件正在不斷發(fā)展。為了向系統設計人員提供廣泛的電源解決方案，Microchip Technology（微芯科技公司）今日宣布推出采用不同封裝、支持多種拓撲結構以及電流和電壓范圍的IGBT 7器件組合。這一新產(chǎn)品組合具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的器件尺寸，旨在滿(mǎn)足可持續發(fā)展、電動(dòng)汽車(chē)和數據中心等高增長(cháng)細分市場(chǎng)的需求。高性能IGBT 7器件是太陽(yáng)能逆變器、氫能生態(tài)系統、商用車(chē)和農用車(chē)以及更多電動(dòng)飛機（MEA）中電源應用的關(guān)鍵構件
- 關(guān)鍵字： Microchip IGBT 7 功率器件
采用IGBT5.XT技術(shù)的PrimePACK?為風(fēng)能變流器提供卓越的解決方案
- 本文由英飛凌科技的現場(chǎng)應用工程師Marcel Morisse與高級技術(shù)市場(chǎng)經(jīng)理Michael Busshardt共同撰寫(xiě)。鑒于迫切的環(huán)境需求，我們必須確保清潔能源基礎設施的啟用，以減少碳排放對環(huán)境的負面影響。在這一至關(guān)重要的舉措中，風(fēng)力發(fā)電技術(shù)扮演了關(guān)鍵角色，并已處于領(lǐng)先地位。在過(guò)去的20年中，風(fēng)力渦輪機的尺寸已擴大三倍，其發(fā)電功率大幅提升，不久后將突破15MW的大關(guān)。因此，先進(jìn)風(fēng)能變流器的需求在不斷增長(cháng)。這些變流器在惡劣境條件下工作，需要高度的可靠性和堅固性，以確保較長(cháng)的使用壽命。為了在限制機柜內元件數
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT
功率模塊選得好，逆變器高效又可靠
- 全球正加速向電氣化轉型，尤其是在交通和基礎設施領(lǐng)域。無(wú)論是乘用車(chē)還是商用/農業(yè)車(chē)輛(CAV)，都在轉向電動(dòng)驅動(dòng)。國際能源署(IEA)2022 年的數據顯示，太陽(yáng)能發(fā)電量首次超過(guò)風(fēng)電，達到1300TWh。轉換能量需要用到逆變器和轉換器。太陽(yáng)能光伏(PV)板產(chǎn)生直流電，而電網(wǎng)中運行的是交流電。電動(dòng)汽車(chē)(EV)的情況類(lèi)似，其主驅電池系統提供直流電，而發(fā)動(dòng)機中的主驅電機需要交流電。在這兩種情況下，電力轉換過(guò)程的能效具有重要影響，因為任何能量損失都會(huì )轉化為熱量，這就需要風(fēng)扇或散熱器等散熱措施，進(jìn)而會(huì )擴大整體解決方案
- 關(guān)鍵字： QDual3 電源轉換 IGBT
更高額定電流的第8代LV100 IGBT模塊
- 摘要本文介紹了為工業(yè)應用設計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進(jìn)的第8代IGBT和二極管。與傳統功率模塊相比，該模塊采用了分段式柵極溝槽（SDA）結構，并通過(guò)可以控制載流子的等離子體層（CPL）結構減少芯片厚度，從而顯著(zhù)的降低了功率損耗。特別是，在開(kāi)通dv/dt與傳統模塊相同的情況下，SDA結構可將Eon降低約60%，通過(guò)大幅降低功率損耗，模塊可以提高功率密度。通過(guò)采用這些技術(shù)并擴大芯片面積，第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機LV100封裝中實(shí)現了1800
- 關(guān)鍵字： 三菱電機 IGBT
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對igbt 7的理解，并與今后在此搜索igbt 7的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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